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产品简介:
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NVTFS5124PLWFTWG 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、高功率密度和良好的热性能,适用于小型化和高效率设计。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和移动电源,用于电池充放电管理和电源路径控制。 3. 电机控制:适用于小型电机或风扇的驱动控制,如在无人机、机器人或电动工具中。 4. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备和工业控制系统中,作为高效负载开关使用。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动或传感器模块供电控制。 该器件采用小型封装(如PowerLFET™),适合空间受限的设计,同时具备良好的散热性能,可在较高电流下稳定工作。其逻辑电平栅极设计也使其适用于由微控制器直接驱动的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 8A U8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVTFS5124PLWFTWG |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 260 毫欧 @ 3A, 10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Ta) |