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  • 型号: NVTFS5124PLWFTWG
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVTFS5124PLWFTWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTFS5124PLWFTWG价格参考。ON SemiconductorNVTFS5124PLWFTWG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVTFS5124PLWFTWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVTFS5124PLWFTWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NVTFS5124PLWFTWG 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要特点包括低导通电阻(Rds(on))、高功率密度和良好的热性能,适用于小型化和高效率设计。

典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率。
2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和移动电源,用于电池充放电管理和电源路径控制。
3. 电机控制:适用于小型电机或风扇的驱动控制,如在无人机、机器人或电动工具中。
4. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备和工业控制系统中,作为高效负载开关使用。
5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动或传感器模块供电控制。

该器件采用小型封装(如PowerLFET™),适合空间受限的设计,同时具备良好的散热性能,可在较高电流下稳定工作。其逻辑电平栅极设计也使其适用于由微控制器直接驱动的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 8A U8FL

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NVTFS5124PLWFTWG

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

250pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

260 毫欧 @ 3A, 10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

3W

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.4A (Ta)

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