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CSD17553Q5A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17553Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17553Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD17553Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 23.5A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD17553Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17553Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments 的 CSD17553Q5A 是一款 100V、N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件广泛应用于需要高效功率转换与控制的电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高能效和减小电源模块体积。 2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等控制电路,提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关:在服务器、工业控制系统中作为高侧或低侧开关使用。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,支持高可靠性和安全性设计。 5. LED照明驱动:在高亮度LED驱动电路中实现恒流控制。 6. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,可用于车载电源、电动助力转向系统(EPS)等场景。 该MOSFET采用小型化封装(如5mm x 6mm SON),具备低导通电阻(典型值为3.9mΩ)、高电流能力和优良热性能,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并降低功耗。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SONMOSFET NCh NexFET Pwr MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 23.5 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17553Q5ANexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD17553Q5A |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
Qg-栅极电荷 | 17.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.9V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3252pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.1 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-30602-6 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17553Q5A |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | VSON-8 FET |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23.5A(Ta), 100A(Tc) |
系列 | CSD17553Q5A |
配置 | Single |