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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的IPF06N03LA G是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效转换和调节电压。 2. 电机控制:用于电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇)中的电机驱动电路,实现对转速和方向的精确控制。 3. 电池管理系统(BMS):在锂电池保护电路中用于充放电控制,防止过流、短路等故障。 4. 汽车电子:如车载充电器、LED车灯驱动、电动门窗控制等,得益于其高可靠性和耐压性能。 5. 工业自动化:用于PLC、继电器替代、传感器供电等工业控制模块中,提供快速开关和低损耗性能。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高频开关能力和高耐用性,适合中低功率应用场景,是实现节能和小型化设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD06N03LA_Rev2.2_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b4ba844b9 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPF06N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 40µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2653pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.7 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | P-TO252-3 |
| 其它名称 | IPF06N03LAGXT |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |