Datasheet下载- 型号： PMPB29XNE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB29XNE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB29XNE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB29XNE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMPB29XNE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB29XNE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB29XNE,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET - 单类型。以下是其主要应用场景的介绍： 1. 电源管理 - PMPB29XNE,115 常用于电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）和开关电源（SMPS）。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功率损耗，提高效率。 - 在电池充电管理系统中，该器件可用于控制充电电流和保护电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 MOSFET 的开关状态，可以调节电机的速度和方向。 - 其快速开关特性和低功耗性能，适合需要高效能和高可靠性的电机控制应用。 3. 负载开关 - 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，该 MOSFET 可用作负载开关，动态管理不同电路模块的供电状态，从而实现节能和延长电池寿命的目的。 4. 信号切换 - 用于音频、视频或其他信号路径的切换。由于其低电容和快速响应时间，能够在不显著影响信号质量的情况下完成切换操作。 5. 保护电路 - 在过流保护、过压保护和短路保护电路中，PMPB29XNE,115 可以作为关键元件。当检测到异常情况时，迅速切断电路以防止损坏下游设备。 6. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，该 MOSFET 可应用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、电动座椅调节和雨刷控制系统等场景。其出色的耐用性和稳定性使其能够在严苛的工作环境中表现良好。 7. 工业自动化 - 在工业控制领域，例如 PLC（可编程逻辑控制器）和传感器接口电路中，PMPB29XNE,115 可用于信号放大、隔离和驱动外部负载。 总之，PMPB29XNE,115 凭借其高性能参数和可靠性，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域，为各种电路设计提供高效的开关和功率管理解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V SGL 6DFNMOSFET PMPB29XNE/SOT1220/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMPB29XNE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMPB29XNE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 12.5 W |
| Pd-功率耗散 | 12.5 W |
| Qg-GateCharge | 12.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.65 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.65 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10820-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020MD-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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