Datasheet下载- 型号： PMPB29XNE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB29XNE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB29XNE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB29XNE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMPB29XNE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB29XNE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB29XNE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个器件），采用小型无铅 SOT-363（SC-88）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）和高开关效率等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于实现低功耗、快速启停及反向电流阻断； 2. LED 驱动与背光控制：在小型 LCD/OLED 显示模块中作为恒流调节或调光开关，利用其快速开关特性支持 PWM 调光； 3. DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器的低压侧同步整流中提升能效，尤其适用于 3.3 V/5 V 输入、1–3 A 输出的微型电源模块； 4. 接口保护与电平转换：在 USB、I²C、GPIO 等信号路径中用作上拉/下拉开关或电压域隔离，防止过压或闩锁风险； 5. 工业与消费类小功率负载控制：如传感器模块供电开关、风扇驱动、继电器替代等，兼顾尺寸、成本与可靠性。 该器件工作结温范围为 –55°C 至 +150°C，符合 AEC-Q101（车规级）标准，亦适用于对可靠性要求较高的车载信息娱乐系统外围电路。其小尺寸与高集成度特别适合空间受限、强调能效与响应速度的终端应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V SGL 6DFNMOSFET PMPB29XNE/SOT1220/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMPB29XNE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMPB29XNE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 12.5 W |
| Pd-功率耗散 | 12.5 W |
| Qg-GateCharge | 12.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.65 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.65 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10820-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020MD-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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