【未分类_NTMFS4C10NT1G】封装/厂家_NTMFS4C10NT1G中文资料_价格

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型号： NTMFS4C10NT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4C10NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4C10NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4C10NT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTMFS4C10NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4C10NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMFS4C10NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其应用场景广泛，主要适用于以下领域：

1. 电源管理：  
   NTMFS4C10NT1G 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）等。它能够有效降低功率损耗，提高整体效率。

2. 电机驱动：  
   该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关性能和稳定的电流控制能力，适合家用电器、工业自动化设备中的电机控制。

3. 负载开关：  
   在消费电子、通信设备和计算机外围设备中，NTMFS4C10NT1G 常被用作负载开关，实现对不同负载的快速切换和保护功能，同时减少功耗。

4. 保护电路：  
   它可以应用于过流保护、短路保护和热插拔保护电路中，确保系统在异常情况下免受损害。

5. 音频放大器：  
   在音频设备中，这款 MOSFET 可作为输出级元件，提供高保真度的信号放大，同时保持较低的失真率。

6. 汽车电子：  
   由于其出色的电气特性和可靠性，NTMFS4C10NT1G 也可用于汽车电子系统中，如车窗升降器、座椅调节器、LED 照明驱动等。

总之，NTMFS4C10NT1G 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，成为众多电力电子应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	46 A
Id-连续漏极电流	46 A
品牌	ON Semiconductor
产品目录	半导体
描述	MOSFET T6 LC SO8FL
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4C10NT1G
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
产品型号	NTMFS4C10NT1G
Pd-PowerDissipation	23.6 W
Pd-功率耗散	23.6 W
Qg-GateCharge	18.6 nC
Qg-栅极电荷	18.6 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	6.95 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	6.95 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.2 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.2 V
上升时间	34 ns
下降时间	7 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	14 ns
功率耗散	23.6 W
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	6.95 mOhms
封装	Reel
封装/箱体	SO-8FL
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	18.6 nC
正向跨导-最小值	43 S
汲极/源极击穿电压	30 V
漏极连续电流	46 A
系列	NTMFS4C10N
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V