Datasheet下载- 型号： FQPF18N20V2YDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF18N20V2YDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF18N20V2YDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF18N20V2YDTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF18N20V2YDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF18N20V2YDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF18N20V2YDTU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有18A电流能力和200V漏源耐压。该器件适用于多种功率电子系统，广泛用于需要高效能与高可靠性的应用场合。 该MOSFET常见应用场景包括： 1. 电源转换系统：如AC/DC和DC/DC转换器、开关电源（SMPS），用于高效能功率开关。 2. 马达驱动：适用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的直流马达控制。 3. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源等，用于能量转换和控制。 4. 充电管理系统：在电动车充电器或电池管理系统中，作为功率控制元件。 5. LED照明驱动：用于高功率LED照明的恒流驱动电路。 6. 工业控制设备：如PLC模块、工业电源模块等，提供稳定的开关性能。 该器件采用D²PAK封装，具备良好的热性能和高功率密度，适合在高频率、高效率开关应用中使用，同时具备较低的导通电阻和开关损耗，有助于提升系统整体效率和可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF18N20V2YDTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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