Datasheet下载- 型号： NVD5484NLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5484NLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5484NLT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5484NLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD5484NLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5484NLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体（ON Semiconductor）的NVD5484NLT4G是一款单N沟道MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有高耐压、低导通电阻的特点，适用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域。在汽车应用中，它可用于车身控制模块、照明系统或电动窗控制电路；在工业设备中，适合用于电机驱动或电源开关系统。此外，该MOSFET也适用于需要高效能和高可靠性的DC-DC转换器及电池管理系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 54A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD5484NLT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1410pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.9W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.7A （Ta）， 54A （Tc） |
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