Datasheet下载- 型号： FQP6N40CF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP6N40CF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP6N40CF价格参考。Fairchild SemiconductorFQP6N40CF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP6N40CF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP6N40CF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP6N40CF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别的产品，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) FQP6N40CF 的高电压耐受能力（最大 VDS = 400V）和低导通电阻使其非常适合用于开关电源中的开关元件。例如，在反激式、正激式或降压-升压转换器中，该器件可以用作主开关管，实现高效的电能转换。 2. 电机驱动 在中小功率电机驱动应用中，FQP6N40CF 可用作驱动电路的核心开关元件。它能够快速切换并承受较高的电压波动，适用于直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机的控制。 3. 逆变器 该 MOSFET 可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，作为高频开关元件。它的高效率和可靠性有助于提高逆变器的整体性能。 4. 电源管理 在需要高压输入的应用中，如汽车电子、工业设备或家用电器的电源管理系统中，FQP6N40CF 可用于电压调节、负载切换等功能。 5. 电磁阀和继电器驱动 由于其良好的开关特性和耐用性，FQP6N40CF 常被用于驱动电磁阀或继电器等感性负载。它可以有效处理启动时的浪涌电流，并保护电路免受反向电动势的影响。 6. LED 驱动 在高亮度 LED 照明系统中，FQP6N40CF 可用于恒流驱动电路，确保 LED 的稳定工作。其低导通损耗有助于减少热量产生，提高系统效率。 7. 保护电路 该器件也可用于过流保护、短路保护或电池保护电路中。通过快速响应和切断异常电流路径，FQP6N40CF 能够保护整个系统免受损害。 总结 FQP6N40CF 凭借其高耐压、低导通电阻和优秀的开关特性，成为许多电力电子应用的理想选择。无论是消费电子产品、工业设备还是汽车领域，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220MOSFET N-CH/400 /6A/CFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP6N40CFFRFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP6N40CF |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 73 W |
| Pd-功率耗散 | 73 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 625pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 73W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.1 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 4.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 400 V |
| 漏极连续电流 | 6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 系列 | FQP6N40 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP6N40CF_NL |
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