Datasheet下载- 型号： PSMN165-200K,518
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN165-200K,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN165-200K,518价格参考。NXP SemiconductorsPSMN165-200K,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN165-200K,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN165-200K,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN165-200K,518 是一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有高耐压和大电流能力，适用于高效率功率转换系统。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、服务器电源和电信设备电源，适用于需要高效能和高可靠性的场合。 2. 电机控制：用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关与电源分配：作为高侧或低侧开关，用于电池管理系统、电源多路复用和热插拔电路中，实现对负载的精确控制。 4. 照明系统：如LED驱动器和高亮度照明设备，支持高频开关以减小外围元件尺寸并提高能效。 5. 汽车电子：用于车载充电系统、车身控制模块和辅助电源系统，具备良好的热稳定性和抗干扰能力。 PSMN165-200K,518 采用高性能封装，具有低导通电阻（Rds(on)）和高雪崩耐量，适合在高频率、高温度环境下稳定工作，广泛应用于工业、通信和消费类电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN165-200K,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 165 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 934056597518 |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A （Ta） |
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