Datasheet下载- 型号： TPH1110ENH,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH1110ENH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH1110ENH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH1110ENH,L1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPH1110ENH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPH1110ENH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPH1110ENH,L1Q 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET - 单 类型，是一款高性能的N沟道增强型MOSFET。该器件主要用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电子电路中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器等，因其低导通电阻和高效率，有助于提升整体能效。 2. 电机控制：在电动工具、电动车、工业自动化设备中用于电机驱动电路，实现快速开关和高效能控制。 3. 负载开关与继电器替代：可用于高可靠性负载开关电路，替代传统机械继电器，提升系统响应速度和稳定性。 4. 汽车电子系统：如车载充电系统、车身控制模块、LED照明系统等，满足汽车电子对高温稳定性和高可靠性的要求。 5. 工业自动化设备：在PLC、传感器模块、工业电源中用于信号切换与功率控制，提升系统集成度与效率。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源管理模块。 该MOSFET具有良好的热稳定性和高频开关性能，适合在高效率、小型化电源设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 200V 8SOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH1110ENH |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TPH1110ENH,L1Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 114 毫欧 @ 3.6A， 10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
| 其它名称 | TPH1110ENHL1QDKR |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.2A （Ta） |
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