Datasheet下载- 型号： FQD4N20LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD4N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD4N20LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD4N20LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD4N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD4N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD4N20LTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中，作为高效开关元件使用。 2. 电机控制：用于电动工具、风扇、泵等小型电机的驱动与调速。 3. 负载开关：在电池供电设备中控制电源通断，实现节能和过载保护。 4. 照明系统：如LED驱动电路中，用于调节亮度或作为开关使用。 5. 消费电子产品：如电视、音响、机顶盒等设备中的电源管理模块。 该器件具有低导通电阻、高耐压（200V）和良好热性能，适合中高功率应用，同时支持表面贴装，便于自动化生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD4N20LTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.35 欧姆 @ 1.6A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Tc） |
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