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Datasheet下载- 型号： STD10NM65N
- 制造商： STMicroelectronics
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STD10NM65N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD10NM65N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD10NM65N价格参考。STMicroelectronicsSTD10NM65N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 9A（Tc） 90W（Tc） DPAK。您可以下载STD10NM65N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD10NM65N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD10NM65N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。该器件具有10A电流容量和650V耐压，适用于中高功率开关电路。典型应用场景包括： 1. 电源转换设备：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）及DC-DC转换器，用于高效能开关操作。 2. 电机驱动器：在工业自动化和家电中用于控制电机转速与方向，如电动工具、风扇与泵类负载。 3. 照明系统：适用于LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源和太阳能逆变器中实现直流电到交流电的高效转换。 5. 电池管理系统：用于电池充放电控制，确保能量高效利用与安全保护。 其高耐压、低导通电阻和优异热性能，使其适合高频率开关与紧凑型设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STD10NM65N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-7957-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF199116?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
