Datasheet下载- 型号： FDS6299S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6299S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6299S价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6299S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6299S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6299S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6299S 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道增强型MOSFET，常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源管理系统，提高能效并减小电路体积。 2. 负载开关：用于控制电源分配，如在电池供电设备中实现低功耗模式。 3. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的驱动电路，提供快速开关响应。 4. LED照明：作为LED驱动电路中的开关元件，实现调光与节能。 5. 工业自动化：用于PLC或工业控制模块中的信号切换与功率控制。 该器件采用小型封装，适合空间受限的设计，同时具备低导通电阻和高开关速度，适用于中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6299S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3880pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 21A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta） |
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