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产品简介:
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NTD4808N-1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路,用于提高能效和降低功耗。 2. 电机控制:在直流电机驱动和步进电机控制中作为开关元件,具备快速开关能力和较低导通电阻,有助于提升系统响应速度与效率。 3. 照明系统:常用于LED驱动电路中,支持调光功能,适用于汽车照明、工业照明等领域。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、充电器等设备中的电源开关和功率调节模块。 5. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块及工业电机控制中实现高效的功率控制。 6. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块等场景,符合汽车行业对可靠性和效率的高要求。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(VDS=30V)和良好热性能的特点,适合高频开关应用,并有助于减少散热设计复杂度。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD4808N-1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1538pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 1.3W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta), 63A (Tc) |