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IRFL4105PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL4105PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL4105PBF价格参考。International RectifierIRFL4105PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 3.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223。您可以下载IRFL4105PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFL4105PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFL4105PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: IRFL4105PBF常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器和电压调节模块中。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗,提高效率,适合高效能电源管理系统。 2. 电机驱动: 该型号适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,尤其是在需要高电流输出和快速开关的应用中。其低导通电阻和良好的热性能有助于降低电机驱动中的能量损失。 3. 电池管理: 在电池保护和管理系统中,IRFL4105PBF可以用作电池充放电路径的开关,确保电池的安全运行并防止过流或短路。 4. 负载切换: 它可以作为负载开关使用,控制电路中不同负载的开启与关闭,适用于消费电子设备、工业控制器和其他需要动态负载管理的场景。 5. 逆变器和UPS系统: 在不间断电源(UPS)和逆变器中,IRFL4105PBF可用于实现高效的AC-DC或DC-AC转换,提供稳定的电力输出。 6. 汽车电子: 虽然IRFL4105PBF并非专为汽车设计,但在一些非关键性车载应用中(如照明控制、风扇控制等),它也可以发挥作用。 7. 信号放大和缓冲: 在某些低频信号处理电路中,IRFL4105PBF可用作信号放大或缓冲元件,提供更高的驱动能力。 总结来说,IRFL4105PBF凭借其低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL4105PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFL4105PBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 3.7A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | *IRFL4105PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 2.1 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 45 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 80 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 23 nC |
| 标准包装 | 80 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 3.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.7A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfl4105.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfl4105.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |