Datasheet下载- 型号： SI7884BDP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7884BDP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7884BDP-T1-GE3价格参考。VishaySI7884BDP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7884BDP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7884BDP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7884BDP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适用于以下主要应用场景： 1. 电源管理：广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的 DC-DC 转换器和负载开关，提高能效并延长电池寿命。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，用于电动工具、风扇或自动化设备中的功率控制。 3. 负载开关与电源分配：用于服务器、通信设备和工业控制系统中，实现对不同负载的快速通断控制，防止过载或短路损坏系统。 4. 逆变器与电源转换模块：在 UPS（不间断电源）或光伏逆变器中作为高频开关元件，提升转换效率。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED 照明控制及车身控制模块，满足汽车环境对可靠性和温度范围的要求。 总之，SI7884BDP-T1-GE3 凭借其高性能和可靠性，适合多种中低功率开关应用，尤其在注重效率和空间紧凑的设计中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8MOSFET 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 18.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68395 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7884BDP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7884BDP-T1-GE3SI7884BDP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 4.6 W |
| Pd-功率耗散 | 4.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3540pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7884BDP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 58A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7884BDP-GE3 |
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