Datasheet下载- 型号： AUIRF7478Q
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRF7478Q由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRF7478Q价格参考。International RectifierAUIRF7478Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AUIRF7478Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AUIRF7478Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的AUIRF7478Q是一款专为汽车和工业应用设计的N沟道MOSFET。其主要应用场景包括： 1. 汽车电子： - 电机驱动：用于小型直流电机控制，如车窗升降器、雨刷、座椅调节等。 - 电源管理：作为开关元件用于DC-DC转换器或电压调节模块。 - 负载切换：控制高电流负载的通断，如照明系统（LED大灯、尾灯）或加热元件。 2. 工业应用： - 开关电源：适用于高效能开关模式电源（SMPS）中的功率开关。 - 逆变器：用于小型逆变器电路中，实现交流电与直流电之间的转换。 - 保护电路：用作过流保护或短路保护开关。 3. 消费类电子： - 电池管理系统：在便携式设备中作为电池充放电控制开关。 - 音频放大器：用于功率输出级以驱动扬声器。 AUIRF7478Q具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（60V）和出色的热性能，适合需要高效能和高可靠性的场景。此外，其符合AEC-Q101标准，确保在严苛环境下的稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 7A 8SOICMOSFET Automotive MOSFET N ch 60V, 7A, 26mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRF7478QHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRF7478Q |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 21 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 3 V |
| 上升时间 | 2.6 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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