Datasheet下载- 型号： STB24NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB24NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB24NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTB24NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB24NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB24NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STB24NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，用于提高能效和减小体积。 2. 电机控制：在电动工具、工业自动化设备及家用电器中作为电机驱动开关元件，实现对转速与扭矩的精确控制。 3. 照明系统：常用于LED照明驱动电路中，支持调光功能并提升整体稳定性。 4. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块（BCM）以及电池管理系统（BMS），满足车规级可靠性要求。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的功率开关或负载管理单元。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（600V）和较大工作电流能力，适合高频开关操作，有助于降低损耗并简化散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 17A D2PAKMOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB24NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB24NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 46 nC |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 168 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 168 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 16.5 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-11211-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251514?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 168 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 系列 | STB24NM60N |
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