Datasheet下载- 型号： STP400N4F6
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP400N4F6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP400N4F6价格参考。STMicroelectronicsSTP400N4F6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP400N4F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP400N4F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP400N4F6 是 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 STP400N4F6 常用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、降压或升压转换器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 2.3mΩ）能够减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中，适合低电压、大电流的工作环境。其耐压能力（Vds = 40V）和高电流处理能力（Id = 289A 脉冲电流）使其能够胜任电机启动和运行时的瞬态电流需求。 3. 负载开关 在需要快速切换负载的电路中，STP400N4F6 可作为高效的负载开关使用，例如电池供电设备中的电源开启/关闭控制，或者保护电路中的过流保护。 4. 电池管理系统 (BMS) 该器件适用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，用于控制充放电路径，防止过流、短路或反向电流等问题。 5. 汽车电子 在汽车应用中，STP400N4F6 可用于电动车窗、座椅调节、雨刷控制等低电压系统的驱动电路中。其高可靠性设计满足车载环境的要求。 6. 工业自动化 该 MOSFET 也可用于工业自动化设备中的继电器替代方案、电磁阀驱动、信号放大等领域，提供更高效和紧凑的解决方案。 7. 消费电子产品 在家用电器（如吸尘器、风扇）和其他消费电子产品中，STP400N4F6 可用于功率转换和电机控制，确保设备运行稳定且节能。 总结来说，STP400N4F6 的低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，使其非常适合需要高效功率转换和开关操作的各种应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V TO-220MOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP400N4F6DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP400N4F6 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 377 nC |
| Qg-栅极电荷 | 377 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 377nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.7 毫欧 @ 60A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13973-5 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | STP400N4F6 |
| 配置 | Single |
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