Datasheet下载- 型号： SUP85N10-10P-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP85N10-10P-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP85N10-10P-GE3价格参考。VishaySUP85N10-10P-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUP85N10-10P-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUP85N10-10P-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUP85N10-10P-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的电子系统中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等，提高能源转换效率，适用于服务器、通信设备和工业电源模块。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机或无刷电机控制系统中作为功率开关使用，支持快速开关动作，降低损耗。 3. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统等，满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 4. 消费类电子产品：用于笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的功率控制电路，提升能效并减小体积。 5. 工业自动化与控制：作为开关元件用于 PLC、变频器、伺服驱动器等设备中，实现对电流和电压的精确控制。 该 MOSFET 适合高频率开关应用，具备良好的耐用性和稳定性，是多种功率电子系统中的关键组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUP85N10-10P-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4660pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 85A （Tc） |
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