Datasheet下载- 型号： ZXMN10A07FTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10A07FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10A07FTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN10A07FTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN10A07FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN10A07FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN10A07FTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：ZXMN10A07FTA 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的降压或升压 DC-DC 转换器中，作为开关元件。 - 负载开关：可用于控制电路中的电流流动，实现设备的快速启停和保护功能。 - 电池管理系统 (BMS)：在电池供电设备中，该 MOSFET 可用于电池充放电路径的开关控制，确保电池的安全运行。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于消费电子、家用电器等领域的低功率电机驱动，提供高效的开关性能。 - H 桥电路：可作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 3. 信号切换 - 信号隔离与切换：在需要高频率信号切换的应用中，ZXMN10A07FTA 的快速开关速度能够满足需求，例如音频信号切换、数据通信线路切换等。 4. 消费类电子产品 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、智能手表等，可用于电源管理模块，提高能效并延长电池寿命。 - USB 充电接口保护：在 USB 充电器或充电宝中，用作过流保护和短路保护。 5. 工业应用 - 传感器接口：用于工业自动化设备中的传感器信号处理和保护。 - 继电器替代：在一些低功耗场景下，可以用 ZXMN10A07FTA 替代传统机械继电器，实现更可靠、更快速的开关功能。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如信息娱乐系统、车窗升降控制、座椅调节等，利用其高可靠性特点。 - LED 照明驱动：用于车内 LED 灯光控制，提供稳定的电流输出。 综上所述，ZXMN10A07FTA 凭借其低导通电阻、高频率特性和紧凑封装，广泛应用于各种低功率、高效率的电子设备中，特别是在电源管理和信号切换领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3MOSFET 100V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 800 mA |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10A07FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN10A07FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 1.5 ns |
| 下降时间 | 1.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 138pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXMN10A07FTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 4.1 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 700mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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