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  • 型号: NTD2955-1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD2955-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD2955-1G价格参考。ON SemiconductorNTD2955-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD2955-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD2955-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 12A IPAKMOSFET -60V -12A P-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 12 A

Id-连续漏极电流

- 12 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD2955-1G-

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产品型号

NTD2955-1G

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

55 W

Pd-功率耗散

55 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

155 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

155 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

45 ns

下降时间

48 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

750pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 6A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

NTD2955-1G-ND
NTD2955-1GOS
NTD29551G

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

55W

功率耗散

55 W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

155 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

正向跨导-最小值

8 S

汲极/源极击穿电压

- 60 V

漏极连续电流

- 12 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Ta)

系列

NTD2955

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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