Datasheet下载- 型号： NTD2955-1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD2955-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD2955-1G价格参考。ON SemiconductorNTD2955-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD2955-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD2955-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD2955-1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。它广泛应用于多种电力电子场景中，主要特点包括低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter)：NTD2955-1G 可用于降压或升压转换器中的开关元件，实现高效的电压调节。 - 开关电源 (SMPS)：作为主开关器件，用于各种开关模式电源中，如适配器、充电器等。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：可用于驱动玩具、家用电器中的小型直流电机，提供高效的开关控制。 - H桥电路：在 H 桥配置中，该 MOSFET 可用于双向电机控制。 3. 负载开关 - 负载通断控制：用作负载开关，快速切换电路的通断状态，适用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备。 4. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用于锂电池或其他可充电电池的充放电保护电路中，防止过流、短路等问题。 - 均衡电路：在多节电池组中，用于电池单元间的电量均衡。 5. 汽车电子 - 车用电子设备：例如车窗升降器、雨刷控制器、座椅调节系统等，需要高效且可靠的开关器件。 - LED 驱动：用于汽车 LED 灯光系统的驱动电路中。 6. 工业应用 - 继电器替代：在需要频繁开关的场合，MOSFET 可替代传统机械继电器，提高可靠性和寿命。 - 逆变器：用于小型逆变器中，将直流电转换为交流电。 7. 消费类电子产品 - 音频放大器：用于功率放大器的输出级，提供高效的电流驱动能力。 - 打印机和扫描仪：控制步进电机或加热元件。 总结 NTD2955-1G 的低导通电阻和高效率使其非常适合需要高频开关和低功耗的应用场景。它的封装形式（如 TO-220 或 DPAK）也便于散热设计，进一步拓展了其在高功率密度系统中的应用范围。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 12A IPAKMOSFET -60V -12A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD2955-1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD2955-1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 55 W |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 155 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 155 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | NTD2955-1G-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 55W |
| 功率耗散 | 55 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 155 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
| 系列 | NTD2955 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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