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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9507-30B,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9507-30B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9507-30B,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK9507-30B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9507-30B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK9507-30B,127 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效能功率管理的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电器,因其低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,有助于提高能效并减少发热。 2. 电机控制:用于电动工具、工业电机和电动车的电机驱动电路中,提供快速开关和高可靠性。 3. 照明系统:在LED照明、汽车前灯和工业照明设备中作为功率开关,支持高频调光和稳定电流控制。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动助力转向(EPS)和车载充电器(OBC),符合汽车级可靠性标准。 5. 工业自动化:用于PLC、伺服驱动器和自动化设备中的功率开关和负载控制。 该器件采用小型化封装,具备优异的热性能和耐用性,适合高密度PCB布局和严苛工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220ABMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 108 A |
| Id-连续漏极电流 | 108 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9507-30B,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK9507-30B,127 |
| Pd-PowerDissipation | 157 W |
| Pd-功率耗散 | 157 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 135 ns |
| 下降时间 | 98 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3373pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5725 |
| 典型关闭延迟时间 | 99 ns |
| 功率-最大值 | 157W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tmb) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BUK9507-30B |