Datasheet下载- 型号： PHD101NQ03LT,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHD101NQ03LT,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHD101NQ03LT,118价格参考。NXP SemiconductorsPHD101NQ03LT,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHD101NQ03LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHD101NQ03LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PHD101NQ03LT,118是一款30V、101A（连续）的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.3mΩ @ VGS=10V，3.4mΩ @ 4.5V）、高功率密度和优异热性能。其主要应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载电源管理，如DC-DC转换器（BUCK/BOOST拓扑）、电机驱动（车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制）、LED车灯调光/驱动及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 - 工业电源与负载开关：适用于高效率服务器电源、通信设备POL（点负载）转换器、工业PLC输出驱动及智能电表中的固态继电器替代方案。 - 消费类设备：在大电流便携式设备（如电动工具、无人机电调模块、快充移动电源）中用作主功率开关或电池保护电路中的充/放电路径控制。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU直接驱动），开关速度快、损耗低，配合LFPAK56封装实现紧凑布局与良好散热，特别适合空间受限且需高可靠性的中高功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHD101NQ03LT,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 934057029118 |
| 功率-最大值 | 166W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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