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产品简介:
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IRFI9Z14GPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 该器件常见应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、电池充电器和电源开关电路中,实现高效能电能转换。 2. 负载开关:在服务器、通信设备和工业控制系统中,用于控制电源通断,保护电路免受过载或短路影响。 3. 电机控制:在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件。 4. 消费电子:如笔记本电脑、平板和智能家电中的电源控制模块。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明控制和电池管理系统中。 该 MOSFET 采用表面贴装封装,适合自动化生产和高密度 PCB 设计,广泛应用于中低功率电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FPMOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.3 A |
Id-连续漏极电流 | 5.3 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI9Z14GPBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91170 |
产品型号 | IRFI9Z14GPBFIRFI9Z14GPBF |
Pd-PowerDissipation | 27 W |
Pd-功率耗散 | 27 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 63 ns |
下降时间 | 31 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 毫欧 @ 3.2A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFI9Z14GPBF |
典型关闭延迟时间 | 9.6 ns |
功率-最大值 | 27W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A (Tc) |
系列 | IRF/SIHGI9ZxxG |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |