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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI9Z14GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI9Z14GPBF价格参考。VishayIRFI9Z14GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFI9Z14GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI9Z14GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFI9Z14GPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 该器件常见应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、电池充电器和电源开关电路中,实现高效能电能转换。 2. 负载开关:在服务器、通信设备和工业控制系统中,用于控制电源通断,保护电路免受过载或短路影响。 3. 电机控制:在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件。 4. 消费电子:如笔记本电脑、平板和智能家电中的电源控制模块。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明控制和电池管理系统中。 该 MOSFET 采用表面贴装封装,适合自动化生产和高密度 PCB 设计,广泛应用于中低功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FPMOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI9Z14GPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91170 |
| 产品型号 | IRFI9Z14GPBFIRFI9Z14GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 27 W |
| Pd-功率耗散 | 27 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 63 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 500 毫欧 @ 3.2A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFI9Z14GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 9.6 ns |
| 功率-最大值 | 27W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.3A (Tc) |
| 系列 | IRF/SIHGI9ZxxG |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |