Datasheet下载- 型号： IRF540ZLPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF540ZLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF540ZLPBF价格参考。International RectifierIRF540ZLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF540ZLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF540ZLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF540ZLPBF是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。这种器件广泛应用于多种电力电子场景中，其主要应用场景包括但不限于以下方面： 1. 开关电源（SMPS） - IRF540ZLPBF常用于开关电源中的功率开关元件。它能够快速切换导通和截止状态，实现高效的电压转换。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高电源效率。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，该MOSFET可用作功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 它适用于低至中等功率的电机应用，例如家用电器、电动工具和自动化设备。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，IRF540ZLPBF可用于将直流电转换为交流电。 - 它的耐压能力和电流承载能力使其适合处理一定的功率范围。 4. 负载开关 - 作为负载开关，IRF540ZLPBF可以用来控制不同负载的供电状态，例如LED照明、电池充电电路等。 - 它的快速开关特性和低损耗特性非常适合此类应用。 5. DC-DC转换器 - 在降压或升压型DC-DC转换器中，该MOSFET用作主开关元件，实现稳定的电压输出。 - 其高频开关能力可支持高效的小型化设计。 6. 保护电路 - IRF540ZLPBF可用于过流保护、短路保护等电路中，通过快速切断电流来保护系统免受损害。 - 它的高可靠性和耐用性使其成为理想选择。 7. 音频放大器 - 在某些功率音频放大器中，该MOSFET可以用作输出级器件，提供足够的电流驱动扬声器。 - 它的线性工作区域性能良好，能够满足音频信号放大的需求。 总结 IRF540ZLPBF是一款性能优异的N沟道增强型MOSFET，具有较高的耐压（100V）、较大的电流承载能力（16A）和较低的导通电阻（0.088Ω）。这些特性使其在各种电力电子应用中表现出色，尤其适用于需要高效功率转换和控制的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 36A TO-262MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 36 A |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF540ZLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF540ZLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 92 W |
| Pd-功率耗散 | 92 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26.5 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRF540ZLPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 92W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf540zs_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf540zs_l.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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