Datasheet下载- 型号： IXTY2N100P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTY2N100P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTY2N100P价格参考。IXYSIXTY2N100P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTY2N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTY2N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTY2N100P是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高电压和较高功率处理能力的电源管理和开关应用。其额定电压为100V，连续漏极电流能力适中，适用于多种工业和电源控制场景。 该器件的典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中的高边开关，控制电源的通断。 2. 电机控制：在直流电机驱动或H桥电路中作为功率开关元件，实现电机方向和速度的控制。 3. 电池管理系统：用于电池充放电控制、电池切换和保护电路，特别是在高电压电池组中。 4. 负载开关：用于控制高功率负载的接通与断开，如照明系统、加热元件或风扇等。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或逆变器中作为开关元件，实现直流到交流的电能转换。 6. 工业自动化设备：如PLC控制模块、工业继电器替代方案等，实现快速、高效的电控操作。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合在中高功率应用中使用。但由于是P沟道结构，通常用于低边开关或高边负载开关，设计时需注意栅极驱动电压的适配。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTY2N100P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Polar™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 655pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 70 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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