Datasheet下载- 型号： FQB15P12TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB15P12TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB15P12TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB15P12TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB15P12TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB15P12TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB15P12TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，主要应用于需要高效功率控制的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压（120V）和大电流承载能力（15A）等特点，适用于多种电源管理和开关应用。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源管理。 2. 电机控制：在直流电机驱动电路中作为高边或低边开关，实现电机启停和调速功能。 3. 工业自动化：广泛应用于工业控制设备中，如PLC、继电器替代和自动化系统中的电源切换。 4. 汽车电子：用于汽车电源系统、车载充电器、车身控制模块等，满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、电源适配器、智能家电等，用于高效能电源开关与负载管理。 6. 通信设备：在基站、路由器和交换设备中用于电源控制和信号路径切换。 FQB15P12TM 采用TO-252封装，适合表面贴装，便于散热设计，适用于中高功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB15P12TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
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