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FDZ661PZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ661PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ661PZ价格参考¥1.57-¥1.57。Fairchild SemiconductorFDZ661PZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 2.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-WLCSP(0.8x0.8)。您可以下载FDZ661PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ661PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDZ661PZ 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 P 沟道 MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的负载开关、电源切换和电压调节,如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备。 2. 电机控制:在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件使用。 3. 负载开关:用于控制各类负载的通断,如LED背光、风扇、加热元件等。 4. 逆变器与转换器:在DC-DC转换器或逆变器电路中作为高频开关器件,实现高效的能量转换。 5. 保护电路:用于过流、欠压或过温保护电路中,作为受控开关切断故障电流。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、小封装体积(如SOT-223),适合空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和效率,适合中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSPMOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ661PZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDZ661PZ |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 555pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 2A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-WLCSP(0.80x0.80) |
| 其它名称 | FDZ661PZCT |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 67 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA,WLCSP |
| 封装/箱体 | WLCSP-4 0.8x0.8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Ta) |
| 系列 | FDZ661PZ |