Datasheet下载- 型号： SUP75P03-07-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUP75P03-07-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP75P03-07-E3价格参考。VishaySUP75P03-07-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUP75P03-07-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUP75P03-07-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUP75P03-07-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管中的 FET 类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理与开关控制场景。 主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源开关和负载管理，用于电池供电系统的反向极性保护和热插拔控制；在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；还可用于电机驱动电路、LED驱动电源及各类低电压控制系统中，实现快速开关和低功耗运行。 由于其封装小巧（如PowerPAK SO-8），适合空间受限的高密度PCB设计，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代化绿色电子产品制造。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 75A TO220ABMOSFET 30V 75A 187W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP75P03-07-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUP75P03-07-E3SUP75P03-07-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 187 W |
| Pd-功率耗散 | 187 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 225 ns |
| 下降时间 | 210 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SUP75P0307E3 |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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