Datasheet下载- 型号： SQ2319ES-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SQ2319ES-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ2319ES-T1-GE3价格参考。VishaySQ2319ES-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SQ2319ES-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SQ2319ES-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SQ2319ES-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于便携式电子设备和高效率电源管理系统中。其主要应用场景包括：手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源开关与负载管理；用于DC-DC转换器中，实现高效的电压调节，提升能源利用效率；在电池供电系统中作为理想二极管或反向电流保护元件，防止电流倒灌，延长电池寿命；适用于热插拔电路设计，提供过流和浪涌保护；还可用于LED驱动电路、电机驱动及小型电源模块中，因其低导通电阻（RDS(on)）和小封装（如PowerPAK SO-8），有助于减小整体电路体积并降低功耗。该器件具备良好的热稳定性与可靠性，适合在紧凑空间和高密度PCB布局中使用，是现代高效、低功耗电子系统中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236MOSFET 40V 4.6A 3W P-Ch Automotive |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.6 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ2319ES-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SQ2319ES-T1-GE3SQ2319ES-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SQ2319ES-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SQ2319ES-GE3 |
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