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SIHP24N65E-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP24N65E-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP24N65E-E3价格参考。VishaySIHP24N65E-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 24A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB。您可以下载SIHP24N65E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHP24N65E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIHP24N65E-E3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于开关模式电源中的高频开关应用。由于其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(650V),能够高效处理高压输入和输出转换。 2. 电机驱动:在工业控制或家用电器中,可用于驱动直流无刷电机(BLDC)或其他类型的电机。其高耐压特性和快速开关速度有助于提高效率并减少损耗。 3. 逆变器:广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等设备中,用于将直流电转换为交流电。其出色的热性能和电气特性确保了系统的稳定运行。 4. 功率因数校正(PFC)电路:在需要进行功率因数校正的场合,如大功率LED照明或家电产品中,该器件可以有效提升整体效率并满足相关标准要求。 5. 负载切换与保护:用作负载开关,在各种电子系统中实现对负载的精确控制以及过流、短路保护等功能。 6. 电动车及混合动力车(EV/HEV):在车载充电器、DC-DC转换器等部件中发挥重要作用,支持新能源汽车领域的技术发展。 总之,SIHP24N65E-E3凭借其优异的参数表现,适合多种高压、大电流的应用环境,特别是在需要高效能量转换和管理的场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220ABMOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHP24N65E-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SiHP24N65E-E3SIHP24N65E-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 81 nC |
| Qg-栅极电荷 | 81 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2740pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 122nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 145 毫欧 @ 12A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SIHP24N65EE3 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 7.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |