Datasheet下载- 型号： SI2302ADS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2302ADS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2302ADS-T1-E3价格参考。VishaySI2302ADS-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2302ADS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2302ADS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2302ADS-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于小信号功率晶体管，广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。其主要应用场景包括： 1. 电源开关：常用于电池供电设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现对不同模块的电源通断控制，以降低功耗。 2. DC-DC 转换器：在同步整流或低电流 DC-DC 变换电路中作为开关元件，提高转换效率，适用于电压调节模块（VRM）和降压变换器。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，常见于微型风扇、打印机和家用电器中。 4. LED 驱动：作为 LED 开关控制器件，用于背光驱动或照明控制电路，响应速度快，功耗低。 5. 热插拔与过流保护电路：在 USB 接口、充电管理单元等需要防止浪涌电流的场合，SI2302ADS-T1-E3 可作为保护开关使用。 6. 信号切换：在模拟开关或多路复用电路中用于低电压信号的通断控制。 该器件采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合高密度贴装；具备低导通电阻（Rds(on)）、低栅极电荷和良好的开关特性，适合高频、低功耗应用。同时，其符合 RoHS 和无卤素要求，适用于消费电子、工业控制和通信设备等多种场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2302ADS-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2302ADS-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A （Ta） |
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