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型号： PSMN017-30LL,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PSMN017-30LL,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN017-30LL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN017-30LL,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN017-30LL,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 15A（Tc） 37W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）。您可以下载PSMN017-30LL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN017-30LL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN017-30LL,115 是恩智浦半导体（NXP USA Inc.）生产的一款单N沟道增强型功率MOSFET，适用于多种高效率、高频率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热性能，适合用于对能效和空间布局有较高要求的场景。

主要应用场景包括：

1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高电源转换效率，降低损耗。

2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）驱动、电动工具、无人机等设备中作为开关元件，实现高效电机驱动。

3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制、保护电路，提升电池使用安全性和效率。

4. 汽车电子：如车载充电器（OBC）、电池逆变器、48V轻混系统等，符合汽车级可靠性要求。

5. 工业自动化：用于工业电源、PLC控制模块、伺服驱动器等，提供稳定高效的功率控制。

6. 消费类电子产品：如高功率移动电源、快充适配器、智能家电等，支持高效率和小型化设计。

该MOSFET采用小型化封装，便于在高密度PCB布局中使用，适用于高频率开关操作，有助于减小外围元件尺寸，提升整体系统性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH QFN3333
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PSMN017-30LL,115
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.15V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	526pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	10nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	17 毫欧 @ 5A，10V
供应商器件封装	8-DFN3333（3.3x3.3）
其它名称	568-5580-6
功率-最大值	37W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	15A （Tc）