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产品简介:
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AOTF18N65L 是 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于高效率电源转换系统中。该器件具有18A连续漏极电流和650V漏源击穿电压,适合中高功率场合。其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC/DC电源适配器、服务器电源、通信电源等,作为主开关或同步整流器件。 2. DC/DC转换器:用于电压调节模块(VRM)、负载点电源(POL)等,支持高频开关,减小电感和电容尺寸。 3. 电机驱动:适用于工业自动化设备中的电机控制电路,提供高效、稳定的功率输出。 4. 照明电源:如LED驱动电源,满足高效率和高可靠性的需求。 5. 新能源系统:如光伏逆变器、储能系统中的DC/AC逆变电路。 该MOSFET采用TO-220或DPAK等封装形式,便于散热和安装,适用于需要高可靠性和紧凑设计的工业与消费类电子产品。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 18A TO220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | AOTF18N65L |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3785pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 390 毫欧 @ 9A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |