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Datasheet下载- 型号： SI3457BDV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI3457BDV-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3457BDV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3457BDV-T1-E3价格参考。VishaySI3457BDV-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 3.7A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP。您可以下载SI3457BDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3457BDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI3457BDV-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功耗，提高系统效率。 2. 电机控制：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制，适合消费电子、家用电器中的电机驱动场景。 3. 电池保护：在便携式设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，该MOSFET可以用于电池充放电保护电路，确保电池安全运行。 4. 信号切换：在通信设备和工业自动化系统中，可用作信号切换元件，实现高速信号路径的控制。 5. 汽车电子：尽管具体规格需满足车规要求，但类似器件常用于车载电子系统的负载控制、照明控制和传感器接口等。 6. 消费类电子产品：广泛应用于USB充电器、适配器以及音频设备中，作为功率开关或保护元件使用。 SI3457BDV-T1-E3具有小尺寸封装（如DFN封装），非常适合空间受限的设计，并且具备良好的热性能和电气特性，能够适应多种复杂的工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOPMOSFET 30V 4.3A 2W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72019 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3457BDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3457BDV-T1-E3SI3457BDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.14 W |
| Pd-功率耗散 | 1.14 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 54 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 54 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 54 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3457BDV-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3457BDV-E3 |
