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详细数据请看参考数据手册
- 型号： ZVN3306A
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN3306A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN3306A价格参考。Diodes Inc.ZVN3306A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVN3306A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN3306A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVN3306A是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：ZVN3306A常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块中，作为开关元件实现高效的电力转换和管理。 2. 负载切换：在便携式设备、消费电子产品和工业控制中，该器件可用于负载切换，以控制不同负载的通断状态，同时减少功率损耗。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机驱动，如风扇、玩具电机等。其低导通电阻有助于降低功耗并提高效率。 4. 信号切换：在音频设备、通信系统和其他需要信号切换的应用中，ZVN3306A可用作信号路径的开关，确保信号的准确传输。 5. 保护电路：用于过流保护、短路保护和反向电池保护等场合，提供可靠的电路保护功能。 6. 电池管理：在电池供电设备中，该MOSFET可用于电池充电控制和放电管理，确保电池的安全运行和延长使用寿命。 7. LED驱动：在LED照明应用中，ZVN3306A可用于驱动单个或多个LED，实现亮度调节和电流控制。 由于其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，ZVN3306A非常适合要求高效能和小尺寸的应用场景，特别适合便携式设备和对能耗敏感的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3MOSFET N-Chnl 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 270 mA |
| Id-连续漏极电流 | 270 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN3306A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN3306A |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 35pF @ 18V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 6 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 5 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 270 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 270mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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