Datasheet下载- 型号： SI4480DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4480DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4480DY-T1-E3价格参考。VishaySI4480DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4480DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4480DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4480DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于电源管理、负载开关、电池供电设备和 DC-DC 转换器等电路设计。该器件常用于便携式电子产品、工业控制系统、通信设备及汽车电子系统中，以实现高效的电能转换与稳定的电路保护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4480DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4480DY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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