Datasheet下载- 型号： SIR403EDP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR403EDP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR403EDP-T1-GE3价格参考。VishaySIR403EDP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR403EDP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR403EDP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR403EDP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等电路设计。其封装形式为 PowerPAK SO-8，适合在空间受限的设计中使用，常见于笔记本电脑、服务器电源系统及便携式电子设备中。此外，该 MOSFET 还具备较高的可靠性与能效表现，适合工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的功率控制模块应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIR403EDP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4620pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 153nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 13A， 10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 56.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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