Datasheet下载- 型号： STL45N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL45N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL45N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTL45N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STL45N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL45N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL45N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（650V）以及良好的热稳定性，适合用于以下场景： 1. 开关电源（SMPS）：适用于各类AC-DC转换器，如适配器、充电器和工业电源模块，提供高效的能量转换。 2. 电机驱动：可用于直流电机控制、电动工具及家用电器中的电机驱动电路，具备快速开关能力和高电流承载能力。 3. 照明系统：适用于LED照明驱动电源，尤其是对效率和散热有较高要求的高亮度LED应用。 4. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统等，利用其高耐压和低损耗特性提高系统整体效率。 5. 家电控制：在洗衣机、空调等家用电器中作为功率开关使用，实现对负载的高效控制。 该MOSFET采用先进的MDmesh™ V技术，优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡，适合高频工作环境，有助于减小电源系统的体积并提升能效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLATMOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 22.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL45N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL45N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 160 W |
| Pd-功率耗散 | 160 W |
| Qg-GateCharge | 82 nC |
| Qg-栅极电荷 | 82 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 9.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3470pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 86 毫欧 @ 14.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFLAT™（8x8） |
| 其它名称 | 497-13776-6 |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 商标名 | MDmesh |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-4 8x8 HV |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta）， 22.5A （Tc） |
| 系列 | STL45N65M5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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