Datasheet下载- 型号： NTR3A30PZT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR3A30PZT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR3A30PZT1G价格参考￥1.27-￥1.27。ON SemiconductorNTR3A30PZT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTR3A30PZT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTR3A30PZT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTR3A30PZT1G是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用3A电流、30V耐压的规格，具备低导通电阻和小型化封装（如SOT-23），适用于空间受限且对效率有要求的便携式电子设备。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，实现低功耗待机与快速响应。 2. DC-DC转换电路：在同步整流或电压反向保护电路中发挥高效开关作用，提升电源转换效率。 3. 极性反接保护：利用P沟道特性，在电源输入端防止因电池或电源接反而损坏后级电路，广泛应用于工业仪表、消费类电子产品。 4. 信号切换与逻辑控制：适用于小电流信号路径的通断控制，如传感器模块、通信接口的电平切换。 由于其封装小巧、驱动简单、无需额外驱动电路即可由逻辑信号直接控制，NTR3A30PZT1G特别适合高密度集成设计。同时，安森美产品的高可靠性也使其可用于工业控制、汽车电子外围电路等对稳定性要求较高的领域。总体而言，这是一款兼顾性能与成本的通用型P沟道MOSFET，广泛服务于消费电子、工业与汽车电子中的低功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-InputCapacitance | 1651 pF |
| Ciss-输入电容 | 1651 pF |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR3A30PZT1G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTR3A30PZT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.48 W |
| Pd-功率耗散 | 480 mW |
| Qg-GateCharge | 17.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 38 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.65 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.65 V |
| 上升时间 | 208 ns |
| 下降时间 | 552 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1651pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 1043 ns |
| 功率-最大值 | 480mW |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 系列 | NTR3A30PZ |
| 配置 | Single |
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