Datasheet下载- 型号： IPP65R225C7XKSA1
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP65R225C7XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP65R225C7XKSA1价格参考￥询价-￥询价。InfineonIPP65R225C7XKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP65R225C7XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP65R225C7XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IPP65R225C7XKSA1 的晶体管属于高性能MOSFET器件，广泛应用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的电力电子系统中。 该器件主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如AC/DC、DC/DC转换器，用于通信电源、服务器电源和工业电源模块，因其高效率和低导通损耗可提升整体能效。 2. 新能源领域：在光伏逆变器和储能系统中，作为关键开关元件实现直流到交流或交流到直流的能量变换。 3. 电动汽车充电系统：适用于车载充电机（OBC）和充电桩电源模块，支持高频率开关操作，有助于减小系统体积并提高功率密度。 4. 电机驱动与变频器：可用于工业自动化中的变频器和伺服驱动器，提供快速响应和稳定控制性能。 5. 消费类电子产品：如高端适配器、LED照明驱动等需要高效能功率器件的场合。 综上，IPP65R225C7XKSA1凭借其优良的电气性能和可靠性，适用于多种高效率、高频开关和高功率密度的电力电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 650V 11A TO-220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPP65R225C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7929d3340105 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP65R225C7XKSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ C7 |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 240µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 996pF @ 400V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 225 毫欧 @ 4.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | SP000929432 |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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