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IXFH42N60P3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH42N60P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH42N60P3价格参考。IXYSIXFH42N60P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 42A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH42N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH42N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH42N60P3是一款高电压、高电流能力的MOSFET晶体管,主要应用于需要高效功率转换的场景。该器件具有600V的漏源击穿电压和42A的连续漏极电流能力,适合用于高功率密度设计。典型应用场景包括: 1. 电源供应器:如服务器电源、通信电源、工业电源等,用于DC-DC转换器或PFC(功率因数校正)电路中,提升效率和可靠性。 2. 电机驱动:适用于工业电机控制、电动工具、变频器等,作为功率开关元件,实现对电机速度和转矩的精确控制。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电,IXFH42N60P3的高耐压和大电流能力可有效支持高效能逆变。 4. 充电设备:如电动汽车充电器、电池充电系统,用于功率调节电路中,实现快速、高效的能量传输。 5. 工业自动化设备:用于高频开关应用,如PLC控制模块、高频电源模块等,具备良好的热稳定性和开关性能。 该器件采用TO-264封装,便于散热和安装,适用于高可靠性要求的工业和电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 42A TO247MOSFET 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 42 A |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH42N60P3Polar3™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH42N60P3 |
| Pd-PowerDissipation | 830 W |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Qg-GateCharge | 78 nC |
| Qg-栅极电荷 | 78 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 185 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 185 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 185 毫欧 @ 500mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 42 S, 25 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 系列 | IXFH42N60 |
| 配置 | Single |