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  • 型号: IXFH42N60P3
  • 制造商: IXYS
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IXFH42N60P3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH42N60P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH42N60P3价格参考。IXYSIXFH42N60P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 42A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH42N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH42N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFH42N60P3是一款高电压、高电流能力的MOSFET晶体管,主要应用于需要高效功率转换的场景。该器件具有600V的漏源击穿电压和42A的连续漏极电流能力,适合用于高功率密度设计。典型应用场景包括:

1. 电源供应器:如服务器电源、通信电源、工业电源等,用于DC-DC转换器或PFC(功率因数校正)电路中,提升效率和可靠性。

2. 电机驱动:适用于工业电机控制、电动工具、变频器等,作为功率开关元件,实现对电机速度和转矩的精确控制。

3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电,IXFH42N60P3的高耐压和大电流能力可有效支持高效能逆变。

4. 充电设备:如电动汽车充电器、电池充电系统,用于功率调节电路中,实现快速、高效的能量传输。

5. 工业自动化设备:用于高频开关应用,如PLC控制模块、高频电源模块等,具备良好的热稳定性和开关性能。

该器件采用TO-264封装,便于散热和安装,适用于高可靠性要求的工业和电力电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 42A TO247MOSFET 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

42 A

Id-连续漏极电流

42 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFH42N60P3Polar3™ HiPerFET™

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产品型号

IXFH42N60P3

Pd-PowerDissipation

830 W

Pd-功率耗散

830 W

Qg-GateCharge

78 nC

Qg-栅极电荷

78 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

185 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

185 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

23 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5150pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

78nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

185 毫欧 @ 500mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AD (IXFH)

功率-最大值

830W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

标准包装

30

正向跨导-最小值

42 S, 25 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

42A (Tc)

系列

IXFH42N60

配置

Single

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