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  • 型号: SIHP25N40D-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP25N40D-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP25N40D-E3价格参考。VishaySIHP25N40D-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHP25N40D-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHP25N40D-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIHP25N40D-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于需要高效开关和高耐压能力的场合。该器件具有 400V 的漏源击穿电压(VDS)和 25A 的连续漏极电流能力,适合用于中高功率电源转换系统。

其主要应用场景包括:

1. 电源供应器:如AC/DC转换器、开关电源(SMPS),用于提高能效和减小体积。
2. 电机驱动:适用于工业自动化设备中的直流电机或步进电机控制电路。
3. 逆变器与变频器:在UPS不间断电源、太阳能逆变器等设备中作为功率开关元件。
4. 负载开关与电源管理:用于电池管理系统(BMS)、热插拔控制器等场合。
5. 汽车电子:如车载充电器、DC/DC转换器等,满足汽车环境中对可靠性和耐压的要求。

该MOSFET采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适合通孔安装。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件符合RoHS标准,适用于环保要求较高的电子产品设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SIHP25N40D-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1707pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

88nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

170 毫欧 @ 13A,10V

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

278W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

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