Datasheet下载- 型号： FQP10N60C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP10N60C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP10N60C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP10N60C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP10N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP10N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP10N60C 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) - FQP10N60C 的高电压耐受能力（600V 额定击穿电压）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以作为主开关管或同步整流器，用于降压、升压或反激式拓扑结构中。 2. 电机驱动 - 在直流电机或步进电机的驱动电路中，FQP10N60C 可用作开关元件，控制电机的启停、转向和速度调节。其低导通电阻（典型值为 0.54Ω）有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 逆变器 - 该器件适用于小型太阳能逆变器或其他类型的 DC-AC 逆变器。它可以在高频下高效切换，将直流电转换为交流电，满足家庭或工业设备的供电需求。 4. 电子负载 - 在测试和测量领域，FQP10N60C 可用于构建电子负载，模拟各种电流吸收情况，以测试电源和其他电子设备的性能。 5. 继电器替代 - 由于其快速开关特性和可靠性，FQP10N60C 可以替代机械继电器，用于需要频繁开关的应用场景，例如汽车电子、家电控制等。 6. LED 驱动 - 在高功率 LED 照明系统中，FQP10N60C 可用作 PWM 调光控制器，调节 LED 的亮度，同时保持高效的能量转换。 7. 保护电路 - 它可以用于过流保护、短路保护或负载开关电路中，确保系统的安全运行。其内置的雪崩能量能力也增强了在异常情况下的耐用性。 8. 汽车电子 - 在汽车环境中，FQP10N60C 可用于启动系统、电动窗、雨刷器等应用，承受较高的电压波动和恶劣的工作条件。 总结 FQP10N60C 凭借其高电压、低导通电阻和良好的热特性，广泛应用于需要高效功率转换和可靠开关性能的场合。无论是消费电子、工业设备还是汽车领域，这款 MOSFET 都能提供稳定的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP10N60CQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP10N60C |
| Pd-PowerDissipation | 156 W |
| Pd-功率耗散 | 156 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 730 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 730 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 69 ns |
| 下降时间 | 77 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 730 毫欧 @ 4.75A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 144 ns |
| 功率-最大值 | 156W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Tc） |
| 系列 | FQP10N60C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP10N60C_NL |
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