Datasheet下载- 型号： NVMFD5489NLT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFD5489NLT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFD5489NLT3G价格参考。ON SemiconductorNVMFD5489NLT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFD5489NLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFD5489NLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMFD5489NLT3G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列器件，属于N沟道增强型功率MOSFET，采用双芯片封装（通常为双N通道配置），适用于中高功率开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优良的热稳定性，广泛应用于需要高效能电源管理的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、同步整流电路，提升电源转换效率，常见于笔记本电脑、服务器及通信设备电源模块中。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，如无人机、电动工具和家用电器中的直流电机驱动。 3. 负载开关与电源开关：用于控制电子系统中不同模块的供电通断，实现低功耗待机与快速响应。 4. 电池供电设备：在便携式设备（如移动电源、手持终端）中用于电池保护电路或充放电管理。 5. 汽车电子系统：符合AEC-Q101标准的版本可用于车载电源系统，如车身控制模块、LED照明驱动等。 其SMT封装（如PowerPAK SO-8）便于自动化生产，节省PCB空间，并具备良好的散热性能。NVMFD5489NLT3G凭借高可靠性与节能特性，适用于对效率和稳定性要求较高的工业、消费类及汽车电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DFN8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFD5489NLT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
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