Datasheet下载- 型号： NX3008CBKS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008CBKS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008CBKS,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3008CBKS,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NX3008CBKS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008CBKS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NX3008CBKS,115的MOSFET阵列由Nexperia USA Inc.生产，适用于多种电子设备中的电源管理和信号切换场景。该器件集成了多个MOSFET，有助于减少电路板空间占用，提高系统效率。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，实现高效能电能转换与分配。 2. 电机控制：适用于小型电机或步进电机的驱动电路，提供稳定开关性能。 3. LED照明：在LED驱动电路中作为开关元件，支持亮度调节与节能控制。 4. 工业自动化：用于PLC模块、传感器接口和继电器替代方案，提高系统响应速度与可靠性。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板和智能家电，用于电源开关与外围设备控制。 该MOSFET阵列具备低导通电阻、高集成度和良好的热稳定性，适合需要高效、紧凑设计的中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOPMOSFET 30/30V, 350/200 MA N/P-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 200 mA, 350 mA |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA, - 200 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008CBKS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3008CBKS,115 |
| Pd-PowerDissipation | 990 mW |
| Pd-功率耗散 | 990 mW |
| Qg-GateCharge | 0.52 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.52 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V, 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V, 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V, 0.9 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.68nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-10495-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 54 ns |
| 功率-最大值 | 445mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V, 30 V |
| 漏极连续电流 | - 200 mA, 350 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 350mA，200mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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