Datasheet下载- 型号： SIA975DJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA975DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA975DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA975DJ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIA975DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA975DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA975DJ-T1-GE3是一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品，具有多种典型应用场景。以下是其主要应用领域及场景： 1. 电源管理 - SIA975DJ-T1-GE3适用于各种电源管理电路，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和负载开关。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功耗，提高电源转换效率。 - 在电池供电设备中，该器件可用于电池保护电路和充电管理模块。 2. 电机控制 - 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵或微型电机，SIA975DJ-T1-GE3可以用作功率级开关元件，实现精确的速度和方向控制。 - 它支持H桥或半桥配置，适合双向电机控制。 3. 信号切换 - 用于音频、视频或其他信号切换电路，提供低噪声和高可靠性的切换功能。 - 在多路复用器或多路选择器设计中，作为信号路径的开关。 4. 负载切换与保护 - 在消费电子、工业自动化和汽车电子中，该器件可作为负载切换开关，快速切断故障电流以保护系统。 - 支持过流保护、短路保护等功能，增强系统的安全性和稳定性。 5. 通信设备 - 在基站、路由器和交换机等通信设备中，SIA975DJ-T1-GE3可用于电源分配网络中的功率开关。 - 提供高效的功率传输，同时减少热量产生。 6. 汽车电子 - 应用于车载信息娱乐系统、LED照明控制和电动助力转向（EPS）系统。 - 满足汽车级可靠性要求，适应恶劣的工作环境。 7. 便携式设备 - 在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等便携式设备中，该器件可用于电池管理、USB接口保护和背光驱动等。 总结来说，SIA975DJ-T1-GE3凭借其高性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机控制、信号切换、负载保护以及各类便携式和汽车电子设备中，满足多样化的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6MOSFET -12V 41mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA975DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA975DJ-T1-GE3SIA975DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 7.8 W |
| Pd-功率耗散 | 7.8 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 其它名称 | SIA975DJ-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 Dual |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SIA975DJ-GE3 |
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