ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > BSS84AKS,115
Datasheet下载- 型号： BSS84AKS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84AKS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84AKS,115价格参考。NXP SemiconductorsBSS84AKS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 50V 160mA（Ta） 445mW 表面贴装 6-TSSOP。您可以下载BSS84AKS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS84AKS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS84AKS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款P沟道MOSFET阵列器件，属于晶体管中的FET/MOSFET类别。该器件采用SOT-363（SC-70）小尺寸封装，内部集成了两个独立的P沟道MOSFET，具有低阈值电压、低导通电阻和高开关速度的特点。 该型号主要应用于对空间要求严苛且需要高效开关控制的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源管理与信号切换。例如，可用于电池供电系统的负载开关、电源多路复用、电平转换电路以及LED背光驱动中的开关控制。 此外，BSS84AKS,115 也广泛用于各类小型化工业控制模块、传感器接口电路和通信设备中，适用于需要低功耗、高集成度和快速响应的场合。其双通道设计可在单一封装内实现多个功能，节省PCB空间，提升系统集成度。 由于其符合RoHS标准且具备良好的热稳定性和可靠性，BSS84AKS,115 在严苛环境下的小型电子系统中表现出色，是现代高密度电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOPMOSFET P-CH -50 V -160 mA |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 160 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 160 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS84AKS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS84AKS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 280 mW |
| Pd-功率耗散 | 280 mW |
| Qg-GateCharge | 0.35 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.35 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.35nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-8394-2 |
| 功率-最大值 | 445mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 150 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 160mA |
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