Datasheet下载- 型号： DMN2028UFDH-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2028UFDH-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2028UFDH-7价格参考。Diodes Inc.DMN2028UFDH-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2028UFDH-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2028UFDH-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN2028UFDH-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号属于超低导通电阻的双 N 通道增强型 MOSFET 阵列，主要应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其典型应用场景： 1. 便携式电子设备 DMN2028UFDH-7 的小尺寸封装（如 DFN）和低导通电阻特性使其非常适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的负载开关和电源管理。 2. 电源管理 在 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）以及电池管理系统中，该 MOSFET 阵列可以提供高效的开关性能，降低功率损耗并提高系统效率。 3. 电机驱动 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，尤其是在需要精确控制电流和电压的应用中，例如玩具、家用电器和自动化设备。 4. 负载开关 其快速开关特性和低导通电阻使得 DMN2028UFDH-7 成为负载开关的理想选择，能够实现对不同负载的高效管理和保护。 5. 信号切换 在多路复用器或多路信号切换电路中，该器件可用于高速信号的切换，同时保持较低的信号失真和功耗。 6. 电池保护电路 用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，提供过流、短路和过放电保护功能，确保电池的安全运行。 7. 音频设备 在耳机放大器或便携式音响设备中，该 MOSFET 阵列可用于音频信号的放大和处理，提供更清晰的音质输出。 总结来说，DMN2028UFDH-7 凭借其出色的电气性能和紧凑的封装设计，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域，特别是在需要高效能、小体积和低功耗解决方案的场合中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2028UFDH-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 151pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerDI3030-8 |
| 其它名称 | DMN2028UFDH-7DICT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.8A |
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